2SK2024-01 Todos los transistores

 

2SK2024-01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK2024-01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PN
 

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2SK2024-01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  fuji
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 ..2. Size:219K  inchange semiconductor
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2SK2024-01

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2024-01DESCRIPTIONDrain Current I = 3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorUPSDC-DC convertersGeneral purpose power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY

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2SK2024-01

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2SK2024-01

N-channel MOS-FET2SK2021-01FAP-IIA Series 500V 1,6 5A 60W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Avalanche Proof> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characteristics > Equiva

Otros transistores... 2SK1984 , 2SK1985 , 2SK2002-01M , 2SK2003-01M , 2SK2019-01 , 2SK2020-01 , 2SK2021-01 , 2SK2022-01M , 4N60 , 2SK2025 , 2SK2026-01 , 2SK2028-01MR , 2SK2050 , 2SK2052 , 2SK2080-01 , 2SK2116 , 2SK2117 .

History: SST202 | NCE85H21TC

 

 
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