2SK857 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK857
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3PN
Búsqueda de reemplazo de 2SK857 MOSFET
2SK857 Datasheet (PDF)
2sk857.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK857DESCRIPTIONDrain Current I =45A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =60V(Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Dr
Otros transistores... 2SK2299 , 2SK2590 , 2SK803 , 2SK804 , 2SK843 , 2SK844 , 2SK845 , 2SK846 , 8N60 , 2SK922 , 3N45 , 3N55 , 3N75 , 40N05 , 40N06 , SUB45N05-20L , SUP45N05-20L .
History: AONP36332U | C2M090W035 | AOB410L | HX2302 | NTHS2101PT1 | IRFR7546 | STK0260D
History: AONP36332U | C2M090W035 | AOB410L | HX2302 | NTHS2101PT1 | IRFR7546 | STK0260D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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