2SK857 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK857
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Encapsulados: TO-3PN
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2SK857 datasheet
2sk857.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK857 DESCRIPTION Drain Current I =45A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =60V(Min) DSS Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Dr
Otros transistores... 2SK2299 , 2SK2590 , 2SK803 , 2SK804 , 2SK843 , 2SK844 , 2SK845 , 2SK846 , IRFZ24N , 2SK922 , 3N45 , 3N55 , 3N75 , 40N05 , 40N06 , SUB45N05-20L , SUP45N05-20L .
History: DMN3009LFVW-7
History: DMN3009LFVW-7
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Liste
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