2SK857 Todos los transistores

 

2SK857 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK857
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PN
 

 Búsqueda de reemplazo de 2SK857 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SK857 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  inchange semiconductor
 2sk857.pdf pdf_icon

2SK857

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK857DESCRIPTIONDrain Current I =45A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =60V(Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Dr

 9.1. Size:62K  toshiba
 2sk856.pdf pdf_icon

2SK857

 9.2. Size:57K  toshiba
 2sk850.pdf pdf_icon

2SK857

 9.3. Size:121K  nec
 2sk855.pdf pdf_icon

2SK857

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2SK2299 , 2SK2590 , 2SK803 , 2SK804 , 2SK843 , 2SK844 , 2SK845 , 2SK846 , IRFZ24N , 2SK922 , 3N45 , 3N55 , 3N75 , 40N05 , 40N06 , SUB45N05-20L , SUP45N05-20L .

 

 
Back to Top

 


 
.