Справочник MOSFET. 2SK857

 

2SK857 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK857
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK857 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  inchange semiconductor
 2sk857.pdf pdf_icon

2SK857

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK857DESCRIPTIONDrain Current I =45A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =60V(Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Dr

 9.1. Size:62K  toshiba
 2sk856.pdf pdf_icon

2SK857

 9.2. Size:57K  toshiba
 2sk850.pdf pdf_icon

2SK857

 9.3. Size:121K  nec
 2sk855.pdf pdf_icon

2SK857

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CS3N70F | AP4407GP | STH6N100 | AOB416 | ISL9N308AD3ST | AP4413GM | VS3605ABT

 

 
Back to Top

 


 
.