3N75 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3N75
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 750 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de 3N75 MOSFET
3N75 Datasheet (PDF)
3n75.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 3N75FEATURESDrain Current I =3.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 750V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 7.0(Max)DS(on)Fast SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching power supplies,converters,AC and DC motor controlsABSOLUTE M
mtp1n100 mtp1n55 mtp1n95 mtp20p06 mtp2955 mtp2n55 mtp2n60 mtp2n85 mtp2p45 mtp2p50 mtp3n100 mtp3n75 mtp3n80 mtp3n95 mtp3p25 mtp4n85.pdf
Otros transistores... 2SK843 , 2SK844 , 2SK845 , 2SK846 , 2SK857 , 2SK922 , 3N45 , 3N55 , IRF520 , 40N05 , 40N06 , SUB45N05-20L , SUP45N05-20L , 45N06 , 45N20 , RFM4N35 , RFM4N40 .
History: P2003BDG
History: P2003BDG
Liste
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