3N75 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 3N75
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 75 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 750 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 35 nC
   Tiempo de subida (tr): 150 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 3N75

3N75 Datasheet (PDF)

..1. Size:227K inchange semiconductor
3n75.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 3N75FEATURESDrain Current I =3.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 750V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 7.0(Max)DS(on)Fast SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching power supplies,converters,AC and DC motor controlsABSOLUTE M

0.1. Size:180K motorola
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