3N75 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 3N75
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 750 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 3N75

3N75 Datasheet (PDF)

..1. Size:227K inchange semiconductor
3n75.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 3N75FEATURESDrain Current I =3.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 750V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 7.0(Max)DS(on)Fast SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching power supplies,converters,AC and DC motor controlsABSOLUTE M

0.1. Size:180K motorola
mtp3n75 mtp3n80 mtm3n75 mtm3n80.pdf