3N75 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 3N75
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 750 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для 3N75
3N75 Datasheet (PDF)
3n75.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 3N75FEATURESDrain Current I =3.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 750V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 7.0(Max)DS(on)Fast SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching power supplies,converters,AC and DC motor controlsABSOLUTE M
mtp1n100 mtp1n55 mtp1n95 mtp20p06 mtp2955 mtp2n55 mtp2n60 mtp2n85 mtp2p45 mtp2p50 mtp3n100 mtp3n75 mtp3n80 mtp3n95 mtp3p25 mtp4n85.pdf
Другие MOSFET... 2SK843 , 2SK844 , 2SK845 , 2SK846 , 2SK857 , 2SK922 , 3N45 , 3N55 , 75N75 , 40N05 , 40N06 , SUB45N05-20L , SUP45N05-20L , 45N06 , 45N20 , RFM4N35 , RFM4N40 .
History: BSZ100N06NS | ME9435-G | MSK30P02DF | R6002END | YJP150N06AQ | JCS10N60CT | ME66N04T
History: BSZ100N06NS | ME9435-G | MSK30P02DF | R6002END | YJP150N06AQ | JCS10N60CT | ME66N04T
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941



