BUK455-60A Todos los transistores

 

BUK455-60A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUK455-60A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 41 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Tiempo de subida (tr): 60 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 560 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUK455-60A

 

BUK455-60A Datasheet (PDF)

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Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK455-60A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. BUK455 -60A -60BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 60 60 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 41 38 A(SMPS), motor

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Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK455-60A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. BUK455 -60A -60BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 60 60 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 41 38 A(SMPS), motor

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BUK455-60A BUK455-60A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK455-60H GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. VDS Drain-source voltage 60 VThe device is intended for use in ID Drain current (DC) 43 AAutomotive applications, Switched Ptot Total power dissipation 125 WMod

 5.2. Size:229K  inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor BUK455-60A/BDESCRIPTIONDrain Source Voltage-: V =60V(Min)DSSLow RDS(ON)Fast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for Switched Mode Power Supplies (SMPS),motor control,welding, and in general purpose switchingresistance applicationABSOLUTE MAXIMUM

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