9N90L-TF1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 9N90L-TF1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F1

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 9N90L-TF1

9N90L-TF1 Datasheet (PDF)

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9n90l-tc3-t 9n90g-tc3-t 9n90l-tf1-t 9n90g-tf1-t 9n90l-tf2-t 9n90g-tf2-t 9n90l-t3p-t 9n90g-t3p-t 9n90l-t3n-t 9n90g-t3n-t 9n90l-t47-t 9n90g-t47-t.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 9N90 Power MOSFET 9A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 9N90 uses UTCs advanced proprietary, planar stripe, DMOS technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

9.1. Size:298K utc
9n90l.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 9N90 Power MOSFET 900V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION 1The UTC 9N90 uses UTCs advanced proprietary, planar TO-247stripe, DMOS technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON) = 1.4 @VGS = 10 V

9.2. Size:217K inchange semiconductor
9n90l.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 9N90LDESCRIPTIONDrain Current I = 9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 900V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSGeneral purpose power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)CSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V

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Liste

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