9N90L-TF1 - описание и поиск аналогов

 

9N90L-TF1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 9N90L-TF1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220F1

Аналог (замена) для 9N90L-TF1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

9N90L-TF1 даташит

 0.1. Size:296K  utc
9n90l-tc3-t 9n90g-tc3-t 9n90l-tf1-t 9n90g-tf1-t 9n90l-tf2-t 9n90g-tf2-t 9n90l-t3p-t 9n90g-t3p-t 9n90l-t3n-t 9n90g-t3n-t 9n90l-t47-t 9n90g-t47-t.pdfpdf_icon

9N90L-TF1

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 9N90 Power MOSFET 9A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 9N90 uses UTC s advanced proprietary, planar stripe, DMOS technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

 9.1. Size:298K  utc
9n90l.pdfpdf_icon

9N90L-TF1

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 9N90 Power MOSFET 900V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION 1 The UTC 9N90 uses UTC s advanced proprietary, planar TO-247 stripe, DMOS technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON) = 1.4 @VGS = 10 V

 9.2. Size:217K  inchange semiconductor
9n90l.pdfpdf_icon

9N90L-TF1

isc N-Channel MOSFET Transistor 9N90L DESCRIPTION Drain Current I = 9A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 900V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS General purpose power amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) C SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage (V

Другие MOSFET... BUK454-200A , BUK445-60B , BUK454-200B , BUK455-60A , BUK455-60B , BUK445-60A , BUK456-60A , BUK456-60B , IRF1404 , BUK444-200B , BUZ14 , BUZ15 , BUZ205 , BUZ211 , BUZ330 , IRFAC32 , JCS24N50WH .

History: 2SJ389S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.