JCS24N50WH Todos los transistores

 

JCS24N50WH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS24N50WH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 271 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 107 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 465 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: TO247

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JCS24N50WH datasheet

 ..1. Size:990K  jilin sino
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JCS24N50WH

N N- CHANNEL MOSFET R JCS24N50H MAIN CHARACTERISTICS Package ID 24 A VDSS 500 V Rdson-max 0.19 @Vgs=10V Qg-typ 81nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 0.1. Size:1012K  jilin sino
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JCS24N50WH

Otros transistores... 9N90L-TF1 , BUK444-200B , BUZ14 , BUZ15 , BUZ205 , BUZ211 , BUZ330 , IRFAC32 , 10N60 , JCS24N50ABH , RU6888R3 , SPP77N06S2-12 , SPB77N06S2-12 , TSA20N50M , M7002NND03 , M7002TTD03 , MC3406 .

History: SWD13N60K2 | ZXMC6A09DN8 | 4N65KL-T2Q-R | AP03N40I-HF

 

 

 

 

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