SPP77N06S2-12 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SPP77N06S2-12
   Código: 2N0612
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 158 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SPP77N06S2-12

SPP77N06S2-12 Datasheet (PDF)

..1. Size:311K infineon
spp77n06s2-12 spb77n06s2-12.pdf

SPP77N06S2-12SPB77N06S2-12OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) 12 m Enhancement modeID 80 A 175C operating temperatureP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP77N06S2-12 P- TO220 -3-1 Q67060-S60292N0612SPB77N06S2-12 P- TO263 -3-2 Q67060-S6030 2N0612Ma

7.1. Size:88K siemens
buz100s spp77n05.pdf

BUZ 100 SSPP77N05SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175C operating temperature also in SMD availablePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 100 S 55 V 77 A 0.015 TO-220 AB Q67040-S4001-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: