Справочник MOSFET. SPP77N06S2-12

 

SPP77N06S2-12 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPP77N06S2-12
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SPP77N06S2-12

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPP77N06S2-12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:311K  infineon
spp77n06s2-12 spb77n06s2-12.pdfpdf_icon

SPP77N06S2-12

SPP77N06S2-12SPB77N06S2-12OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) 12 m Enhancement modeID 80 A 175C operating temperatureP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP77N06S2-12 P- TO220 -3-1 Q67060-S60292N0612SPB77N06S2-12 P- TO263 -3-2 Q67060-S6030 2N0612Ma

 7.1. Size:88K  siemens
buz100s spp77n05.pdfpdf_icon

SPP77N06S2-12

BUZ 100 SSPP77N05SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175C operating temperature also in SMD availablePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 100 S 55 V 77 A 0.015 TO-220 AB Q67040-S4001-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25

Другие MOSFET... BUZ15 , BUZ205 , BUZ211 , BUZ330 , IRFAC32 , JCS24N50WH , JCS24N50ABH , RU6888R3 , IRF9540 , SPB77N06S2-12 , TSA20N50M , M7002NND03 , M7002TTD03 , MC3406 , MC3541 , MCD04N60 , MCD04N65 .

History: KHB7D0N65F1 | SI3493DDV | NCE4435 | IPW60R060P7 | SQM100N04-3M5 | MTE55N20J3 | ME20P06

 

 
Back to Top

 


 
.