MCD3410 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MCD3410
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 21 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 21 nC
Tiempo de subida (tr): 13.6 nS
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.078 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
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MCD3410 Datasheet (PDF)
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FreescaleIRFR3410/ MCD3410N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYKey Features:rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technologyDS(on)78 @ VGS = 10V21 Low thermal impedance10092 @ VGS = 4.5V19 Fast switching speedTypical Applications: PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost conve
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