MCD3410 Todos los transistores

 

MCD3410 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MCD3410

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13.6 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.078 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MCD3410 datasheet

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MCD3410

Freescale IRFR3410/ MCD3410 N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 78 @ VGS = 10V 21 Low thermal impedance 100 92 @ VGS = 4.5V 19 Fast switching speed Typical Applications PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost conve

Otros transistores... SPB77N06S2-12 , TSA20N50M , M7002NND03 , M7002TTD03 , MC3406 , MC3541 , MCD04N60 , MCD04N65 , STP75NF75 , MS10N60 , MS10N65 , MS10N80 , MS12N60 , MS12N65 , MS13N50 , MS13P21 , MS14N60 .

History: SSI65R360S2 | DMP2004VK | AP3P010H

 

 

 

 

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