MCD3410 Todos los transistores

 

MCD3410 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MCD3410
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13.6 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.078 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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MCD3410 Datasheet (PDF)

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MCD3410

FreescaleIRFR3410/ MCD3410N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYKey Features:rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technologyDS(on)78 @ VGS = 10V21 Low thermal impedance10092 @ VGS = 4.5V19 Fast switching speedTypical Applications: PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost conve

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History: WML10N65EM | 10N60H | NDPL100N10BG | SI3812DV | MSC37N03 | WMJ90N65C4 | AM7341P

 

 
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