MS12N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MS12N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 225 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 182 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
Encapsulados: TO-220
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MS12N60 datasheet
ms12n60.pdf
MS12N60 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS12N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features BVDSS=6600V typically @ Tj=15
ms12n65.pdf
MS12N65 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS12N65 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low gate charge ( typical 52n
Otros transistores... MC3406 , MC3541 , MCD04N60 , MCD04N65 , MCD3410 , MS10N60 , MS10N65 , MS10N80 , IRLB4132 , MS12N65 , MS13N50 , MS13P21 , MS14N60 , MS14P21 , MS15N50 , MS15N60 , MS17N03Q8 .
History: HY3210M
History: HY3210M
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