MS12N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MS12N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 225 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 48 nC
Tiempo de subida (tr): 85 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 182 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.65 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
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MS12N60 Datasheet (PDF)
ms12n60.pdf
MS12N60 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS12N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features BVDSS=6600V typically @ Tj=15
ms12n65.pdf
MS12N65 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS12N65 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low gate charge ( typical 52n
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History: 24NM60G-TA3-T
