MS12N60 - описание и поиск аналогов

 

MS12N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MS12N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 182 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для MS12N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS12N60 даташит

 ..1. Size:859K  bruckewell
 ms12n60.pdf pdf_icon

MS12N60

MS12N60 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS12N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features BVDSS=6600V typically @ Tj=15

 8.1. Size:362K  bruckewell
 ms12n65.pdf pdf_icon

MS12N60

MS12N65 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS12N65 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low gate charge ( typical 52n

Другие MOSFET... MC3406 , MC3541 , MCD04N60 , MCD04N65 , MCD3410 , MS10N60 , MS10N65 , MS10N80 , IRLB4132 , MS12N65 , MS13N50 , MS13P21 , MS14N60 , MS14P21 , MS15N50 , MS15N60 , MS17N03Q8 .

History: NTTFS4929N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.