MS5N50 Todos los transistores

 

MS5N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MS5N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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MS5N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:850K  bruckewell
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MS5N50

MS5N50 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS5N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features BVDSS=550V typically @ Tj=150

 0.1. Size:376K  bruckewell
 ms5n50-a.pdf pdf_icon

MS5N50

MS5N50-A N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS5N50-A is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features BVDSS=550V typically @ Tj=1

Otros transistores... MS44P15 , MS4541C , MS48P25 , MS49P63 , MS4N60 , MS4N60C , MS4N65 , MS50N06 , SKD502T , MS5N50-A , MS5N60 , MS60P02NE , MS69N68 , MS6N40 , MS6N80 , MS6N90 , MS6N95 .

History: STI15NM60ND | QS8J11 | SFB052N100C3 | RFD3055SM | KPE4703A | WSD3810DN | CEF03N8

 

 
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