MTE130N20J3 Todos los transistores

 

MTE130N20J3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTE130N20J3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.195 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MTE130N20J3 datasheet

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MTE130N20J3

Spec. No. C966J3 Issued Date 2014.12.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTE130N20J3 ID@VGS=10V, TC=25 C 18A ID@VGS=10V, TA=25 C 1.9A 156m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic Pb-free lead pla

 5.1. Size:341K  cystek
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MTE130N20J3

Spec. No. C966FP Issued Date 2014.05.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.05.15 Page No. 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20FP BVDSS 200V ID @ VGS=10V 17A RDS(ON)@VGS=10V, ID=9A 150 m (typ) Features Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Insulating package, front/back side insulating v

 5.2. Size:394K  cystek
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MTE130N20J3

Spec. No. C952J3 Issued Date 2014.02.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.05 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KJ3 BVDSS 200V ID 18A 142m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement ESD Diode Protected Gate Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and

 5.3. Size:296K  cystek
mte130n20kfp.pdf pdf_icon

MTE130N20J3

Spec. No. C952FP Issued Date 2013.12.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KFP BVDSS 200V ID @ VGS=10V 17A RDS(ON)@VGS=10V, ID=9A 134 m (typ) Features ESD protected Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Insulating package, front/back side in

Otros transistores... MTD6N15T4G , MTD6N15T4GV , MTD6N20ET4 , MTD6N20ET4G , MTD6P10E , MTDP9620Q8 , MTDP9933KQ8 , MTE05N10FP , 7N65 , MTE150P20H8 , MTE55N10FP , MTE55N20J3 , MTE6D5N12B0E3 , MTE8D0N08H8 , MTG9N50E , MTH13N45 , MTH13N50 .

History: F4F60VX2 | FQP2N60C | F5V50

 

 

 


History: F4F60VX2 | FQP2N60C | F5V50

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