IPB35CN10N Todos los transistores

 

IPB35CN10N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB35CN10N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 58 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TO263

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IPB35CN10N datasheet

 0.1. Size:704K  infineon
 ipb35cn10n-g ipd33cn10n-g ipi35cn10n-g ipp35cn10n-g ipu33cn10n-g.pdf pdf_icon

IPB35CN10N

IPB35CN10N G IPD33CN10N G IPI35CN10N G IPP35CN10N G IPU33CN10N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS N-channel, normal level R 34 m DS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 27 A D Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified accordi

 9.1. Size:171K  infineon
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IPB35CN10N

IPB35N10S3L-26 OptiMOS -T Power-Transistor Product Summary V 100 V DS R 26.3 mW DS(on),max I 35 A D Features PG-TO263-3-2 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPB35N10S3L-26 PG-TO263-3-2 3N10L26 M

Otros transistores... MTE55N20J3 , MTE6D5N12B0E3 , MTE8D0N08H8 , MTG9N50E , MTH13N45 , MTH13N50 , MTH15N35 , IPU25CN10N , AO3401 , IPU33CN10N , IPB80CN10N , IPU78CN10N , MTH15N40 , MTH20N15 , MTH5N100 , MTH5N95 , MTH6N100 .

History: FQP30N06 | MTM12P06

 

 

 

 

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