IPB35CN10N Todos los transistores

 

IPB35CN10N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPB35CN10N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 58 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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IPB35CN10N Datasheet (PDF)

 0.1. Size:704K  infineon
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IPB35CN10N

IPB35CN10N G IPD33CN10N GIPI35CN10N G IPP35CN10N G IPU33CN10N GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 34mDS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 27 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified accordi

 9.1. Size:171K  infineon
 ipb35n10s3l-26.pdf pdf_icon

IPB35CN10N

IPB35N10S3L-26OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 100 VDSR 26.3mWDS(on),maxI 35 ADFeaturesPG-TO263-3-2 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB35N10S3L-26 PG-TO263-3-2 3N10L26M

Otros transistores... MTE55N20J3 , MTE6D5N12B0E3 , MTE8D0N08H8 , MTG9N50E , MTH13N45 , MTH13N50 , MTH15N35 , IPU25CN10N , AO3400 , IPU33CN10N , IPB80CN10N , IPU78CN10N , MTH15N40 , MTH20N15 , MTH5N100 , MTH5N95 , MTH6N100 .

History: CHM04N10ZPT | OSG65R1K4AF | TK7A55D | SWJ7N65D | KHB9D5N20F2 | IRLB8743PBF | SRM4N60U

 

 
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