MTH5N95 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTH5N95
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 950 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-218
Búsqueda de reemplazo de MTH5N95 MOSFET
MTH5N95 Datasheet (PDF)
Otros transistores... IPU25CN10N , IPB35CN10N , IPU33CN10N , IPB80CN10N , IPU78CN10N , MTH15N40 , MTH20N15 , MTH5N100 , 13N50 , MTH6N100 , MTH6N100E , MTH6N55 , MTH6N60 , MTH8N35 , MTH8N40 , MTH8N55 , MTH8N60 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06 | 2sa1232

