MTH5N95 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTH5N95
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 950 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: TO-218
Аналог (замена) для MTH5N95
MTH5N95 Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... IPU25CN10N , IPB35CN10N , IPU33CN10N , IPB80CN10N , IPU78CN10N , MTH15N40 , MTH20N15 , MTH5N100 , AO4407 , MTH6N100 , MTH6N100E , MTH6N55 , MTH6N60 , MTH8N35 , MTH8N40 , MTH8N55 , MTH8N60 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06 | 2sa1232