MTM13123 Todos los transistores

 

MTM13123 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTM13123
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-236AA SOT-23
 

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MTM13123 Datasheet (PDF)

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MTM13123

Doc No. TT4-EA-14584Revision. 2Product StandardsMOS FETMTM131230BBFMTM131230BBFSilicon P-channel MOSFETUnit : mm 2.9For switching0.4 0.163 Features Low drain-source ON resistance : RDS(on)typ. = 40 m ( VGS = -4.0 V ) Halogen-free / RoHS compliant(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)1 21.1 Marking Symbol:BL(0.95)(0.95)1.91. Gate

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MTM13123

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).MTM13127Silicon P-channel MOS FETFor DC-DC converter circuitsFor swiching circuits Overview PackageMTM13127 is the P-channel MOS FET that is highly suitable ofr DC-DC Codeconverter and other switching circuits. Mini3-G3-BPackage dimension clicks here. Click! Features Low drain

 9.1. Size:262K  panasonic
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MTM13123

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).MTM13227Silicon N-channel MOSFETFor switching Features Package Low on-resistance: Ron = 85 mW (VGS = -4.0 V) Code Small package: Mini3-G3-B Mini3-G3-B Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Pin Name Eco-friendly Halogen-free package 1: Gate Packaging

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History: AP9977GJ-HF | SVS65R400L8AE3TR

 

 
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