MTM13227 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTM13227
Código: ET
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.7 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 10 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.3 V
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 26 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-346
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTM13227
MTM13227 Datasheet (PDF)
mtm13227.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).MTM13227Silicon N-channel MOSFETFor switching Features Package Low on-resistance: Ron = 85 mW (VGS = -4.0 V) Code Small package: Mini3-G3-B Mini3-G3-B Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Pin Name Eco-friendly Halogen-free package 1: Gate Packaging
mtm13127.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).MTM13127Silicon P-channel MOS FETFor DC-DC converter circuitsFor swiching circuits Overview PackageMTM13127 is the P-channel MOS FET that is highly suitable ofr DC-DC Codeconverter and other switching circuits. Mini3-G3-BPackage dimension clicks here. Click! Features Low drain
mtm13123.pdf
Doc No. TT4-EA-14584Revision. 2Product StandardsMOS FETMTM131230BBFMTM131230BBFSilicon P-channel MOSFETUnit : mm 2.9For switching0.4 0.163 Features Low drain-source ON resistance : RDS(on)typ. = 40 m ( VGS = -4.0 V ) Halogen-free / RoHS compliant(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)1 21.1 Marking Symbol:BL(0.95)(0.95)1.91. Gate
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