MTM30N50 Todos los transistores

 

MTM30N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTM30N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-204AE
 

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MTM30N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:54K  njs
 mtm30n50.pdf pdf_icon

MTM30N50

 9.1. Size:715K  jiejie micro
 jmtm300n03d.pdf pdf_icon

MTM30N50

JMTM300N03DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MosFETFeaturesApplications 30V, 4.8A Load SwitchRDS(ON)

 9.2. Size:1255K  jiejie micro
 jmtm300c02d.pdf pdf_icon

MTM30N50

JMTM300C02DDescriptionJMT N And P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications N-channel: 20V, 3.8A Battery ProtectionRDS(ON)

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