MTM30N50 Todos los transistores

 

MTM30N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTM30N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm

Encapsulados: TO-204AE

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MTM30N50 datasheet

 ..1. Size:54K  njs
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MTM30N50

 9.1. Size:715K  jiejie micro
 jmtm300n03d.pdf pdf_icon

MTM30N50

JMTM300N03D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications 30V, 4.8A Load Switch RDS(ON)

 9.2. Size:1255K  jiejie micro
 jmtm300c02d.pdf pdf_icon

MTM30N50

JMTM300C02D Description JMT N And P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications N-channel 20V, 3.8A Battery Protection RDS(ON)

Otros transistores... MTM232270LBF , MTM24N45E , MTM24N50 , MTM25N10 , MTM26N40E , MTM2N50 , MTM2N85 , MTM2N90 , IRFZ46N , MTM3N60 , MTM40N20 , MTM45N15 , MTM4N45 , MTM4N50 , MTM55N08 , MTM55N10 , MTM5N100 .

History: MSC37N03 | TPC8210 | LSGE15R085W3 | F3S90HVX2 | SKSS063N08N | PSMN3R0-30YLD

 

 

 

 

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