MTM30N50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTM30N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
Тип корпуса: TO-204AE
Аналог (замена) для MTM30N50
MTM30N50 Datasheet (PDF)
9.1. Size:715K jiejie micro
jmtm300n03d.pdf
jmtm300n03d.pdf
JMTM300N03DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MosFETFeaturesApplications 30V, 4.8A Load SwitchRDS(ON)
9.2. Size:1255K jiejie micro
jmtm300c02d.pdf
jmtm300c02d.pdf
JMTM300C02DDescriptionJMT N And P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications N-channel: 20V, 3.8A Battery ProtectionRDS(ON)
Другие MOSFET... MTM232270LBF , MTM24N45E , MTM24N50 , MTM25N10 , MTM26N40E , MTM2N50 , MTM2N85 , MTM2N90 , RU7088R , MTM3N60 , MTM40N20 , MTM45N15 , MTM4N45 , MTM4N50 , MTM55N08 , MTM55N10 , MTM5N100 .
History: TSA82N30M
History: TSA82N30M
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet