Справочник MOSFET. MTM30N50

 

MTM30N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTM30N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO-204AE
 

 Аналог (замена) для MTM30N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTM30N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:54K  njs
mtm30n50.pdfpdf_icon

MTM30N50

Другие MOSFET... MTM232270LBF , MTM24N45E , MTM24N50 , MTM25N10 , MTM26N40E , MTM2N50 , MTM2N85 , MTM2N90 , STP65NF06 , MTM3N60 , MTM40N20 , MTM45N15 , MTM4N45 , MTM4N50 , MTM55N08 , MTM55N10 , MTM5N100 .

History: AP2613GYT-HF | PNMTOF600V5

 

 
Back to Top

 


 
.