MTM30N50 - описание и поиск аналогов

 

MTM30N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTM30N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO-204AE

Аналог (замена) для MTM30N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTM30N50 даташит

 ..1. Size:54K  njs
 mtm30n50.pdf pdf_icon

MTM30N50

 9.1. Size:715K  jiejie micro
 jmtm300n03d.pdf pdf_icon

MTM30N50

JMTM300N03D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications 30V, 4.8A Load Switch RDS(ON)

 9.2. Size:1255K  jiejie micro
 jmtm300c02d.pdf pdf_icon

MTM30N50

JMTM300C02D Description JMT N And P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications N-channel 20V, 3.8A Battery Protection RDS(ON)

Другие MOSFET... MTM232270LBF , MTM24N45E , MTM24N50 , MTM25N10 , MTM26N40E , MTM2N50 , MTM2N85 , MTM2N90 , IRFZ46N , MTM3N60 , MTM40N20 , MTM45N15 , MTM4N45 , MTM4N50 , MTM55N08 , MTM55N10 , MTM5N100 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.