MTM55N10 Todos los transistores

MTM55N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTM55N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 350 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: TO-204AE

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros