MTM68410 Todos los transistores

 

MTM68410 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTM68410
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: WMINI8-F1
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTM68410 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:273K  panasonic
 mtm68410.pdf pdf_icon

MTM68410

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).MTM68410Silicon P-channel MOS FETFor load switch circuitsFor switching circuits Package Overview CodeMTM68410 is the low ON resistance dual P-channel MOS FET designed for WMini8-F1load switch circuits.Package dimension clicks here. Click! Features Pin Name Dual P-channel MOS FET in o

 7.1. Size:276K  panasonic
 mtm68411.pdf pdf_icon

MTM68410

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).MTM68411Silicon P-channel MOS FETFor load switch circuitsFor switching circuits Package Overview CodeMTM68411 is the low ON resistance dual P-channel MOS FET designed for WMini8-F1load switch circuits.Package dimension clicks here. Click! Features Pin Name Dual P-channel MOS FET in o

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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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