MTM78E2B Todos los transistores

 

MTM78E2B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTM78E2B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 500 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: WSMINI8-F1-B
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTM78E2B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:517K  panasonic
 mtm78e2b.pdf pdf_icon

MTM78E2B

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).Silicon MOS FETs (Small Signal) MTM78E2BDual N-channel MOS FETFor lithium-ion secondary battery protection circuit Overview PackageMTM78E2B is the MOS FET which is suitable for lithium ion secondary Codebattery protection circuit and features low on-resistance by the leading-edge fine WSMini8-F1-Bprocess a

 0.1. Size:355K  panasonic
 mtm78e2b0lbf.pdf pdf_icon

MTM78E2B

Doc No. TT4-EA-12408Revision. 2Product StandardsMOS FETMTM78E2B0LBFMTM78E2B0LBFGate Resistor installed Dual N-Channel MOS TypeUnit: mm 2.0For lithium-ion secondary battery protection circuit0.2 0.138 7 6 5 Features Low drain-source On-state Resistance RDS(on) typ. = 21.5 m (VGS =4.0 V) Halogen-free / RoHS compliant1 2 3 4 (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CHM8410JGP | 24NM60G-TQ2-T | SSM4502GM | FQD20N06L | FPF1C2P5BF07A | SGSP341 | AOK160A60FDL

 

 
Back to Top

 


 
.