MTN1N60L3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTN1N60L3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 7.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9.5 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-223
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MTN1N60L3 Datasheet (PDF)
mtn1n60l3.pdf
Spec. No. : C721L3 Issued Date : 2014.11.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 600VMTN1N60L3ID@VGS=10V, TA=25C 0.4A ID@VGS=10V, TC=25C 0.9A RDSON@VGS=10V, ID=0.2A 7.8(typ) Description The MTN1N60L3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast sw
mtn1n60a3.pdf
Spec. No. : C721A3 Issued Date : 2010.10.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 8 (typ.) MTN1N60A3 ID : 1A Description The MTN1N60A3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and
mtn1n65i3.pdf
Spec. No. : C437I3 Issued Date : 2009.01.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2011.11.10 Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 9.5 MTN1N65I3 ID : 1.0A Description The MTN1N65I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resista
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History: SIR874DP
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