MTN9N50FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTN9N50FP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTN9N50FP

MTN9N50FP Datasheet (PDF)

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mtn9n50fp.pdf

Spec. No. : C720FP Issued Date : 2009.10.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.11.06 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 500V RDS(ON) : 0.78 typ. MTN9N50FP ID : 8.5A Description The MTN9N50FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on

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Liste

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