MTN9N50FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTN9N50FP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220FP
Búsqueda de reemplazo de MTN9N50FP MOSFET
MTN9N50FP Datasheet (PDF)
mtn9n50fp.pdf

Spec. No. : C720FP Issued Date : 2009.10.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.11.06 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 500V RDS(ON) : 0.78 typ. MTN9N50FP ID : 8.5A Description The MTN9N50FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on
Otros transistores... MTM982400BBF , MTMC8E2A , MTN12N30FP , MTN12N60BFP , MTN1N60L3 , MTN2300AN3 , MTN4N65F3 , MTN8N65FI , K3569 , MTP10N08 , MTP10N10 , MTP10N10E , MTP10N10ELG , MTP10N25 , MTP10N35 , MTP10N40 , MTP10N40E .
History: HCFL60R115 | SSG4502C | RSU002P03 | 6N80A | CM1N60C | STP11NK50Z
History: HCFL60R115 | SSG4502C | RSU002P03 | 6N80A | CM1N60C | STP11NK50Z



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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