MTN9N50FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTN9N50FP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220FP
Búsqueda de reemplazo de MTN9N50FP MOSFET
MTN9N50FP Datasheet (PDF)
mtn9n50fp.pdf

Spec. No. : C720FP Issued Date : 2009.10.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.11.06 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 500V RDS(ON) : 0.78 typ. MTN9N50FP ID : 8.5A Description The MTN9N50FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on
Otros transistores... MTM982400BBF , MTMC8E2A , MTN12N30FP , MTN12N60BFP , MTN1N60L3 , MTN2300AN3 , MTN4N65F3 , MTN8N65FI , K4145 , MTP10N08 , MTP10N10 , MTP10N10E , MTP10N10ELG , MTP10N25 , MTP10N35 , MTP10N40 , MTP10N40E .
History: IPI147N12N3G | SSW65R099SFD | NTMS10P02R2G | FDMA86265P | STP270N04 | PSMN3R9-25MLC
History: IPI147N12N3G | SSW65R099SFD | NTMS10P02R2G | FDMA86265P | STP270N04 | PSMN3R9-25MLC



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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