MTN9N50FP Todos los transistores

 

MTN9N50FP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN9N50FP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: TO-220FP

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MTN9N50FP datasheet

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MTN9N50FP

Spec. No. C720FP Issued Date 2009.10.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.11.06 Page No. 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 500V RDS(ON) 0.78 typ. MTN9N50FP ID 8.5A Description The MTN9N50FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on

Otros transistores... MTM982400BBF , MTMC8E2A , MTN12N30FP , MTN12N60BFP , MTN1N60L3 , MTN2300AN3 , MTN4N65F3 , MTN8N65FI , 2N7002 , MTP10N08 , MTP10N10 , MTP10N10E , MTP10N10ELG , MTP10N25 , MTP10N35 , MTP10N40 , MTP10N40E .

History: TMP9N70 | 2SJ472-01L | TPCA8103 | MDP8N60TH | AOT27S60L | IRLD110PBF

 

 

 

 

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