MTP10N10E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTP10N10E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTP10N10E

MTP10N10E Datasheet (PDF)

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MTP10N10EPreferred DevicePower MOSFET10 Amps, 100 VoltsNChannel TO220This Power MOSFET is designed to withstand high energy in theavalanche and commutation modes. The energy efficient design alsohttp://onsemi.comoffers draintosource diodes with fast recovery times. Designed forlow voltage, high speed switching applications in power supplies,10 AMPERESconverters

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0.2. Size:237K motorola
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MTP10N10ELPreferred DevicePower MOSFET10 A, 100 V, Logic Level, N-Channel TO-220This Power MOSFET is designed to withstand high energy in theavalanche and commutation modes. The energy efficient design alsooffers a drain-to-source diode with a fast recovery time. Designed forlow voltage, high speed switching applications in power supplies,http://onsemi.comconverters and PWM mo

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Liste

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