MTP12N20 Todos los transistores

 

MTP12N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTP12N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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MTP12N20 datasheet

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MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP12N10E/D Designer's Data Sheet MTP12N10E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS E FET is designed to withstand high 12 AMPERES energy in the avalanche and commutation modes. The new energy 100 VOLTS effi

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MTP12N20

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP12N06EZL/D Designer's Data Sheet MTP12N06EZL TMOS E-FET. High Energy Power FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS power FET is designed to withstand high 12 AMPERES energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high 60 VOLTS energy device also offers a g

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History: 2SK2615 | MDS3603URH

 

 

 

 

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