MTP12P10G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTP12P10G
   Código: MTP12P10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 33 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 575 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTP12P10G

MTP12P10G Datasheet (PDF)

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MTP12P10Preferred DevicePower MOSFET12 Amps, 100 VoltsP-Channel TO-220This Power MOSFET is designed for medium voltage, high speedhttp://onsemi.compower switching applications such as switching regulators, converters,solenoid and relay drivers.12 AMPERES, 100 VOLTSFeaturesRDS(on) = 300 mW Silicon Gate for Fast Switching Speeds - Switching Times SpecifiedP-Channela

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