MTP1N50 Todos los transistores

 

MTP1N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTP1N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm

Encapsulados: TO-220

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MTP1N50 datasheet

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MTP1N50

PRODUCT SPECIFICATIONS SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, INC. 3131 S. E. JAY STREET, STUART, FL 34997 TYPE MTP1N50 PH (561) 283-4500 FAX (561) 286-8914 Website http //www.semi-tech-inc.com CASE OUTLINE TO-220 HIGH VOLTAGE POWER MOSFET N-CHANNEL ABSOLUTE MAXIMUM RATING Drain Source Voltage VDSS 500 Vdc Drain Gate Voltage VDGR 500 Vdc Drain Current Continuous ID 1.

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MTP1N50

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP1N50E/D Designer's Data Sheet MTP1N50E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This high voltage MOSFET uses an advanced termination 1.0 AMPERES scheme to provide enhanced voltage blocking capability without 500 VOLTS degra

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MTP1N50

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