MTP1N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTP1N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MTP1N50 MOSFET
MTP1N50 Datasheet (PDF)
mtp1n50.pdf

PRODUCT SPECIFICATIONS SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, INC. 3131 S. E. JAY STREET, STUART, FL 34997 TYPE: MTP1N50 PH: (561) 283-4500 FAX: (561) 286-8914 Website: http://www.semi-tech-inc.com CASE OUTLINE: TO-220 HIGH VOLTAGE POWER MOSFET N-CHANNEL ABSOLUTE MAXIMUM RATING: Drain Source Voltage VDSS 500 Vdc Drain Gate Voltage VDGR 500 Vdc Drain Current Continuous ID 1.
mtp1n50erev1x.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP1N50E/DDesigner's Data SheetMTP1N50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination1.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without500 VOLTSdegra
mtp1n50e.pdf

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mtp1n100 mtp1n55 mtp1n95 mtp20p06 mtp2955 mtp2n55 mtp2n60 mtp2n85 mtp2p45 mtp2p50 mtp3n100 mtp3n75 mtp3n80 mtp3n95 mtp3p25 mtp4n85.pdf

Otros transistores... MTP12P06 , MTP12P08 , MTP12P10 , MTP12P10G , MTP15N05 , MTP15N05E , MTP15N06 , MTP1N100 , 10N65 , MTP1N50E , MTP1N55 , MTP1N60 , MTP1N60E , MTP1N80E , MTP1N95 , MTP20N10E , MTP20N15EG .
History: IRF8788PBF | WMM18N50C4 | SL120N03R
History: IRF8788PBF | WMM18N50C4 | SL120N03R



Liste
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