MTP1N50. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MTP1N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для MTP1N50
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MTP1N50 даташит
mtp1n50.pdf
PRODUCT SPECIFICATIONS SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, INC. 3131 S. E. JAY STREET, STUART, FL 34997 TYPE MTP1N50 PH (561) 283-4500 FAX (561) 286-8914 Website http //www.semi-tech-inc.com CASE OUTLINE TO-220 HIGH VOLTAGE POWER MOSFET N-CHANNEL ABSOLUTE MAXIMUM RATING Drain Source Voltage VDSS 500 Vdc Drain Gate Voltage VDGR 500 Vdc Drain Current Continuous ID 1.
mtp1n50erev1x.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP1N50E/D Designer's Data Sheet MTP1N50E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This high voltage MOSFET uses an advanced termination 1.0 AMPERES scheme to provide enhanced voltage blocking capability without 500 VOLTS degra
mtp1n50e.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP1N50E/D Designer's Data Sheet MTP1N50E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This high voltage MOSFET uses an advanced termination 1.0 AMPERES scheme to provide enhanced voltage blocking capability without 500 VOLTS degra
mtp1n100 mtp1n55 mtp1n95 mtp20p06 mtp2955 mtp2n55 mtp2n60 mtp2n85 mtp2p45 mtp2p50 mtp3n100 mtp3n75 mtp3n80 mtp3n95 mtp3p25 mtp4n85.pdf
Другие MOSFET... MTP12P06 , MTP12P08 , MTP12P10 , MTP12P10G , MTP15N05 , MTP15N05E , MTP15N06 , MTP1N100 , 4N60 , MTP1N50E , MTP1N55 , MTP1N60 , MTP1N60E , MTP1N80E , MTP1N95 , MTP20N10E , MTP20N15EG .
History: FDS8333C | STF26NM60N-H | STD85N3LH5 | AP8600MT | MTP3055V | 2SJ328-Z | STF2LN60K3
History: FDS8333C | STF26NM60N-H | STD85N3LH5 | AP8600MT | MTP3055V | 2SJ328-Z | STF2LN60K3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo