MTP2N90 Todos los transistores

 

MTP2N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTP2N90
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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MTP2N90 Datasheet (PDF)

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP2N40E/DDesigner's Data SheetMTP2N40ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination2.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without400 VOLTSdegra

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 mtp2n50e.pdf pdf_icon

MTP2N90

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP2N50E/DDesigner's Data SheetMTP2N50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination2.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without500 VOLTSdegra

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History: KHB6D0N40F | WMQ30P03T1 | MMF65R600QTH | RCX510N25 | SL2P03F | KI2301T | CJ3404

 

 
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