MTP2N90 Todos los transistores

 

MTP2N90 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTP2N90

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

 Búsqueda de reemplazo de MTP2N90 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MTP2N90 datasheet

 ..1. Size:95K  njs
 mtm2n85 mtm2n90 mtp2n90.pdf pdf_icon

MTP2N90

 9.1. Size:107K  1
 irf610 irf611 irf612 irf613 mtp2n18 mtp2n20.pdf pdf_icon

MTP2N90

 9.2. Size:217K  motorola
 mtp2n40erev0bx.pdf pdf_icon

MTP2N90

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP2N40E/D Designer's Data Sheet MTP2N40E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This high voltage MOSFET uses an advanced termination 2.0 AMPERES scheme to provide enhanced voltage blocking capability without 400 VOLTS degra

 9.3. Size:244K  motorola
 mtp2n50e.pdf pdf_icon

MTP2N90

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP2N50E/D Designer's Data Sheet MTP2N50E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This high voltage MOSFET uses an advanced termination 2.0 AMPERES scheme to provide enhanced voltage blocking capability without 500 VOLTS degra

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... MTP2N40E , MTP2N45 , MTP2N50E , MTP2N55 , MTP2N60 , MTP2N60E , MTP2N80 , MTP2N85 , IRF9640 , MTP2P45 , MTP2P50 , MTP2P50EG , MTP3055V , MTP30P06V , MTP36N06V , MTP3N100 , MTP3N120E .

History: IXFC26N50P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.