MTP2N90 - описание и поиск аналогов

 

MTP2N90. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP2N90

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для MTP2N90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP2N90 даташит

 ..1. Size:95K  njs
 mtm2n85 mtm2n90 mtp2n90.pdf pdf_icon

MTP2N90

 9.1. Size:107K  1
 irf610 irf611 irf612 irf613 mtp2n18 mtp2n20.pdf pdf_icon

MTP2N90

 9.2. Size:217K  motorola
 mtp2n40erev0bx.pdf pdf_icon

MTP2N90

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP2N40E/D Designer's Data Sheet MTP2N40E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This high voltage MOSFET uses an advanced termination 2.0 AMPERES scheme to provide enhanced voltage blocking capability without 400 VOLTS degra

 9.3. Size:244K  motorola
 mtp2n50e.pdf pdf_icon

MTP2N90

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP2N50E/D Designer's Data Sheet MTP2N50E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This high voltage MOSFET uses an advanced termination 2.0 AMPERES scheme to provide enhanced voltage blocking capability without 500 VOLTS degra

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTP2N40E , MTP2N45 , MTP2N50E , MTP2N55 , MTP2N60 , MTP2N60E , MTP2N80 , MTP2N85 , IRF9640 , MTP2P45 , MTP2P50 , MTP2P50EG , MTP3055V , MTP30P06V , MTP36N06V , MTP3N100 , MTP3N120E .

History: SMF12N65 | SWP80N08V1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.