MTP3N55 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTP3N55
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 550 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Encapsulados: TO-220AB
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MTP3N55 datasheet
mtp3n55.pdf
PRODUCT SPECIFICATIONS SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, INC. 3131 S. E. JAY STREET, STUART, FL 34997 TYPE MTP3N55 PH (561) 283-4500 FAX (561) 286-8914 Website http //www.semi-tech-inc.com CASE OUTLINE TO-220 HIGH VOLTAGE POWER MOSFET N-CHANNEL ABSOLUTE MAXIMUM RATING Drain Source Voltage VDSS 550 Vdc Drain Gate Voltage VDGR 550 Vdc Drain Current Continuous ID 3
mtp3n50e.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP3N50E/D Designer's Data Sheet MTP3N50E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device High Energy Power FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced high voltage TMOS E FET is designed to 3.0 AMPERES withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. 500 VOLTS This new
mtp3n50erev1a.pdf
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History: SI2318DS-T1-GE3 | 2SK1704 | S70N06RP
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