MTP4N10 Todos los transistores

 

MTP4N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTP4N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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MTP4N10 Datasheet (PDF)

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP4N50E/DDesigner's Data SheetMTP4N50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced high voltage TMOS EFET is designed to4.0 AMPERESwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.500 VOLTSThis new

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MTP4N80 PCB24MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP4N80E/DDesigner's Data SheetMTP4N80ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination4.0 AMPERESs

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MTP4N10

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History: IRFU540ZPBF | BL23N50-W

 

 
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