MTP4N40E Todos los transistores

 

MTP4N40E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTP4N40E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTP4N40E Datasheet (PDF)

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MTP4N40E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP4N40E/DDesigner's Data SheetMTP4N40ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination4.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without400 VOLTSdegra

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History: SW1N60E | MTN50N06E3 | SSFT4004 | FDP2710F085 | CPC3730 | IPI051N15N5 | SM3116NAF

 

 
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