MTP5N40E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTP5N40E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de MTP5N40E MOSFET
MTP5N40E Datasheet (PDF)
mtp5n40e.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP5N40E/DDesigner's Data SheetMTP5N40ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced high voltage TMOS EFET is designed to5.0 AMPERESwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.400 VOLTSThis new
mtp5n40erev1a.pdf
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History: AT12N65S | FDS4465-NL-9 | CED02N6A | SRADM1002 | PHM15NQ20T | TPCP8A05-H | QM2401V
History: AT12N65S | FDS4465-NL-9 | CED02N6A | SRADM1002 | PHM15NQ20T | TPCP8A05-H | QM2401V
Liste
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