MTP7N60 Todos los transistores

 

MTP7N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTP7N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220C
 

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MTP7N60 Datasheet (PDF)

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP7N20E/DDesigner's Data SheetMTP7N20ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS EFET is designed to withstand high7.0 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. The new energy200 VOLTSeffic

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History: 6N70KL-TF1-T | IPD60R1K5CE | NTMFS4C054N | HAT2103R | ME6874-G | CHM4435AZGP | MTP7P05

 

 
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