MTP7N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTP7N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220C
Búsqueda de reemplazo de MTP7N60 MOSFET
MTP7N60 Datasheet (PDF)
mtp7n20erev0b.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP7N20E/DDesigner's Data SheetMTP7N20ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS EFET is designed to withstand high7.0 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. The new energy200 VOLTSeffic
mtp7n20e.pdf
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History: 2SK636 | 2SK749 | MTP5N05
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