MTP7N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTP7N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Encapsulados: TO-220C
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MTP7N60 datasheet
mtp7n20erev0b.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP7N20E/D Designer's Data Sheet MTP7N20E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS E FET is designed to withstand high 7.0 AMPERES energy in the avalanche and commutation modes. The new energy 200 VOLTS effic
mtp7n20e.pdf
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History: AP70SL1K4AI | TT8K11 | LSF60R290HF
History: AP70SL1K4AI | TT8K11 | LSF60R290HF
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