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MTP8N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTP8N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTP8N20

 

Principales características: MTP8N20

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MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP8N50E/D Designer's Data Sheet MTP8N50E TMOS E-FET. Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This high voltage MOSFET uses an advanced termination 8.0 AMPERES scheme to provide enhanced voltage blocking capability without 500 VOLTS degrading performance over time.

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MTP8N20

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP8N06E/D Designer's Data Sheet MTP8N06E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS E FET is designed to withstand high 8.0 AMPERES energy in the avalanche and commutation modes. The new energy 60 VOLTS effici

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MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP8N06E/D Designer's Data Sheet MTP8N06E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS E FET is designed to withstand high 8.0 AMPERES energy in the avalanche and commutation modes. The new energy 60 VOLTS effici

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History: ZVN4306ASTZ | ZVN4306AVSTOA | 3N70L-TN3-R | ZVN4206GVTA | ZVN4210GTA | PSMNR90-30BL | TIS73

 

 
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