MTP8N20
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTP8N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 8
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 15
nC
trⓘ -
Время нарастания: 150
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4
Ohm
Тип корпуса:
TO-220AB
Аналог (замена) для MTP8N20
MTP8N20
Datasheet (PDF)
9.1. Size:158K motorola
mtp8n50erev2x.pdf MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP8N50E/DDesigner's Data SheetMTP8N50ETMOS E-FET.Power Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination8.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without500 VOLTSdegrading performance over time.
9.2. Size:212K motorola
mtp8n06erev1.pdf MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP8N06E/DDesigner's Data SheetMTP8N06ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS EFET is designed to withstand high8.0 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. The new energy60 VOLTSeffici
9.3. Size:185K motorola
mtp8n06e.pdf MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP8N06E/DDesigner's Data SheetMTP8N06ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS EFET is designed to withstand high8.0 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. The new energy60 VOLTSeffici
9.4. Size:119K motorola
mtp8n50e.pdf MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP8N50E/DDesigner's Data SheetMTP8N50ETMOS E-FET.Power Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination8.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without500 VOLTSdegrading performance over time.
9.6. Size:932K cn vbsemi
mtp8n06.pdf MTP8N06www.VBsemi.twN-Channel 60 V(D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt ratingVDS (V) 60 Fast switchingRDS(on) ()VGS = 10 V 0.072 Ease of parallelingQg max. (nC) 25Simple drive requirementsQgs (nC) 5.8Qgd (nC) 11Configuration SingleDTO-220ABGSDGSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)P
Другие MOSFET... IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
, IRFP440A
, IRFP250
, IRFP442
, IRFP443
, IRFP448
, IRFP450
, IRFP450A
, IRFP450FI
, IRFP450LC
, IRFP451
.