MTW20N50E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTW20N50E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 452 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247AE
Búsqueda de reemplazo de MTW20N50E MOSFET
MTW20N50E Datasheet (PDF)
mtw20n50e.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW20N50E/DDesigner's Data SheetMTW20N50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 20 AMPERES500 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 0.24 OHMscheme to provi
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MTW20N50EPreferred DevicePower MOSFET20 Amps, 500 VoltsNChannel TO247This high voltage MOSFET uses an advanced termination schemeto provide enhanced voltageblocking capability without degradinghttp://onsemi.comperformance over time. In addition, this advanced Power MOSFET isdesigned to withstand high energy in the avalanche and commutation20 AMPERESmodes. The new
mtw20n50erev4.pdf

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History: BSC0402NS | 7NM70G-TF3-T | SWT38N70K | AP75N07GP | TPCC8066-H | AP6680GM | AP4453GYT
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