MVSF2N02EL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MVSF2N02EL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
Encapsulados: SOT-23
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MVSF2N02EL datasheet
mgsf2n02el mvsf2n02el.pdf
MGSF2N02EL, MVSF2N02EL MOSFET N-Channel, SOT-23 2.8 A, 20 V www.onsemi.com These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal 2.8 A, 20 V for use in space sensitive power management circuitry. RDS(on) = 85 mW (max) Features Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life N-Channel
mvsf2n02el mvsf2n02elt1g.pdf
MGSF2N02EL, MVSF2N02EL Power MOSFET 2.8 Amps, 20 Volts, N-Channel SOT-23 These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure http //onsemi.com minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. 2.8 A, 20 V Features RDS(on) = 85 mW (max) Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life
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History: ME4435-G
History: ME4435-G
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