MX2N5114 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MX2N5114
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-18

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MX2N5114

MX2N5114 Datasheet (PDF)

..1. Size:43K microsemi
mx2n5114 mx2n5115 mx2n5116.pdf

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com P-CHANNEL J-FET Equivalent To MIL-PRF-19500/476 DEVICES LEVELS 2N5114 MQ = JAN Equivalent 2N5115 MX = JANTX Equivalent 2N5116 MV = JANTXV EquivalentABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25C unless otherwise noted) Parameters / Test C

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

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