MTP3N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTP3N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Encapsulados: TO220
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MTP3N50 datasheet
mtp3n50e.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP3N50E/D Designer's Data Sheet MTP3N50E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device High Energy Power FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced high voltage TMOS E FET is designed to 3.0 AMPERES withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. 500 VOLTS This new
mtp3n50erev1a.pdf
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INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor MTP3N50E FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Very high commutation ruggedness Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS PFC stages Popular AC-DC applications Power supply Switching applications ABS
Otros transistores... MX2N4858 , MX2N4859 , MX2N4860 , MX2N4861 , MX2N5114 , MX2N5115 , MX2N5116 , MTP3N45 , P60NF06 , MTM3N75 , MTM3N80 , 125N10T , 2SJ156 , 2SJ171 , 2SK2071-01L , 2SK399 , 2SK400 .
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