MTP3N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTP3N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 150 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3 Ohm
Тип корпуса: TO220
MTP3N50 Datasheet (PDF)
mtp3n50e.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP3N50E/DDesigner's Data SheetMTP3N50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced high voltage TMOS EFET is designed to3.0 AMPERESwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.500 VOLTSThis new
mtp3n50erev1a.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP3N50E/DDesigner's Data SheetMTP3N50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced high voltage TMOS EFET is designed to3.0 AMPERESwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.500 VOLTSThis new
mtp3n50e.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor MTP3N50EFEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPFC stagesPopular AC-DC applicationsPower supplySwitching applicationsABS
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
