2SJ156 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SJ156
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FA
Búsqueda de reemplazo de 2SJ156 MOSFET
2SJ156 Datasheet (PDF)
2sj156.pdf
INCHANGE Semiconductorisc P-Channel MOSFET Transistor 2SJ156DESCRIPTIONLow Drain-Source ON ResisitanceHigh Forward Transfer AdmittanceLow Leakage CurrentEnhancement-ModeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operation.APPLICATIONSHigh speed switching applicationSwitching regulator ,DC-DC converter and Motordrive application
Otros transistores... MX2N5114 , MX2N5115 , MX2N5116 , MTP3N45 , MTP3N50 , MTM3N75 , MTM3N80 , 125N10T , IRF1405 , 2SJ171 , 2SK2071-01L , 2SK399 , 2SK400 , 2SK429 , 2SK562 , 2SK564 , 2SK566 .
History: SI6923DQ | AOB12N50L | STM6922 | 2P829A | SM6F27NSFP | FDP2710
History: SI6923DQ | AOB12N50L | STM6922 | 2P829A | SM6F27NSFP | FDP2710
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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