2SJ156 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SJ156
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FA
Búsqueda de reemplazo de 2SJ156 MOSFET
2SJ156 Datasheet (PDF)
2sj156.pdf

INCHANGE Semiconductorisc P-Channel MOSFET Transistor 2SJ156DESCRIPTIONLow Drain-Source ON ResisitanceHigh Forward Transfer AdmittanceLow Leakage CurrentEnhancement-ModeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operation.APPLICATIONSHigh speed switching applicationSwitching regulator ,DC-DC converter and Motordrive application
Otros transistores... MX2N5114 , MX2N5115 , MX2N5116 , MTP3N45 , MTP3N50 , MTM3N75 , MTM3N80 , 125N10T , IRFZ48N , 2SJ171 , 2SK2071-01L , 2SK399 , 2SK400 , 2SK429 , 2SK562 , 2SK564 , 2SK566 .
History: 2SK3110 | AP9563GM-HF | CS8N80FA9H
History: 2SK3110 | AP9563GM-HF | CS8N80FA9H



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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