2SJ156 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SJ156
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
Encapsulados: TO220FA
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2SJ156 datasheet
2sj156.pdf
INCHANGE Semiconductor isc P-Channel MOSFET Transistor 2SJ156 DESCRIPTION Low Drain-Source ON Resisitance High Forward Transfer Admittance Low Leakage Current Enhancement-Mode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS High speed switching application Switching regulator ,DC-DC converter and Motor drive application
Otros transistores... MX2N5114 , MX2N5115 , MX2N5116 , MTP3N45 , MTP3N50 , MTM3N75 , MTM3N80 , 125N10T , STP65NF06 , 2SJ171 , 2SK2071-01L , 2SK399 , 2SK400 , 2SK429 , 2SK562 , 2SK564 , 2SK566 .
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