2SJ156 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SJ156
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SJ156

2SJ156 Datasheet (PDF)

..1. Size:194K inchange semiconductor
2sj156.pdf

INCHANGE Semiconductorisc P-Channel MOSFET Transistor 2SJ156DESCRIPTIONLow Drain-Source ON ResisitanceHigh Forward Transfer AdmittanceLow Leakage CurrentEnhancement-ModeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operation.APPLICATIONSHigh speed switching applicationSwitching regulator ,DC-DC converter and Motordrive application

9.1. Size:84K no
2sj154.pdf