2SJ156 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SJ156  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm

Тип корпуса: TO220FA

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2SJ156

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ156 даташит

 ..1. Size:194K  inchange semiconductor
 2sj156.pdf pdf_icon

2SJ156

INCHANGE Semiconductor isc P-Channel MOSFET Transistor 2SJ156 DESCRIPTION Low Drain-Source ON Resisitance High Forward Transfer Admittance Low Leakage Current Enhancement-Mode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS High speed switching application Switching regulator ,DC-DC converter and Motor drive application

 9.1. Size:84K  no
 2sj154.pdf pdf_icon

2SJ156

Другие IGBT... MX2N5114, MX2N5115, MX2N5116, MTP3N45, MTP3N50, MTM3N75, MTM3N80, 125N10T, 2N60, 2SJ171, 2SK2071-01L, 2SK399, 2SK400, 2SK429, 2SK562, 2SK564, 2SK566