2SK562 Todos los transistores

 

2SK562 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK562

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: TO3P

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2SK562 datasheet

 ..1. Size:236K  inchange semiconductor
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2SK562

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK562 FEATURES Drain Current I =39A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 50V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION High speed power Switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Sou

 9.1. Size:256K  toshiba
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2SK562

"MG8G4EM1" "MG8G4EM1" "MG8G4EM1" "MG8G4EM1" "MG8G4EM1" "MG8G4EM1"

 9.2. Size:184K  no
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 9.3. Size:51K  no
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2SK562

Otros transistores... MTM3N80 , 125N10T , 2SJ156 , 2SJ171 , 2SK2071-01L , 2SK399 , 2SK400 , 2SK429 , IRLB3034 , 2SK564 , 2SK566 , 2SK602 , 2SK604 , 2SK610 , 2SK616 , 2SK617 , 2SK622 .

History: 2SK4111

 

 

 


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