2SK562 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK562
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de 2SK562 MOSFET
2SK562 Datasheet (PDF)
2sk562.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK562FEATURESDrain Current I =39A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 50V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONHigh speed power Switching.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Sou
Otros transistores... MTM3N80 , 125N10T , 2SJ156 , 2SJ171 , 2SK2071-01L , 2SK399 , 2SK400 , 2SK429 , EMB04N03H , 2SK564 , 2SK566 , 2SK602 , 2SK604 , 2SK610 , 2SK616 , 2SK617 , 2SK622 .
History: IRFM054 | SML1004RBN | EMB20P03V | FDMS7600AS | SUP57N20-33 | SI4812DY | 125N10T
History: IRFM054 | SML1004RBN | EMB20P03V | FDMS7600AS | SUP57N20-33 | SI4812DY | 125N10T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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