2SK562 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK562
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de 2SK562 MOSFET
2SK562 Datasheet (PDF)
2sk562.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK562FEATURESDrain Current I =39A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 50V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONHigh speed power Switching.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Sou
Otros transistores... MTM3N80 , 125N10T , 2SJ156 , 2SJ171 , 2SK2071-01L , 2SK399 , 2SK400 , 2SK429 , 60N06 , 2SK564 , 2SK566 , 2SK602 , 2SK604 , 2SK610 , 2SK616 , 2SK617 , 2SK622 .
History: 8N60A | SUP57N20-33 | TSP15N10A | DH100P30D | AUIRFN8405TR | ME4920 | RQK0302GGDQS
History: 8N60A | SUP57N20-33 | TSP15N10A | DH100P30D | AUIRFN8405TR | ME4920 | RQK0302GGDQS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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