2SK562 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK562
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de 2SK562 MOSFET
2SK562 Datasheet (PDF)
2sk562.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK562FEATURESDrain Current I =39A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 50V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONHigh speed power Switching.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Sou
Otros transistores... MTM3N80 , 125N10T , 2SJ156 , 2SJ171 , 2SK2071-01L , 2SK399 , 2SK400 , 2SK429 , 60N06 , 2SK564 , 2SK566 , 2SK602 , 2SK604 , 2SK610 , 2SK616 , 2SK617 , 2SK622 .
History: SI4539DY-T1 | IXTT2N300P3HV | 2SK2090 | SWI5N30D | SWI2N60DC | NCEP039N10D | HY1310U
History: SI4539DY-T1 | IXTT2N300P3HV | 2SK2090 | SWI5N30D | SWI2N60DC | NCEP039N10D | HY1310U



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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